KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡單,測量。
儀器特點(diǎn)如下:
1、配有雙數(shù)字表:一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更。
數(shù)字電壓表量程:0—19.999mV 靈敏度:1μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ;
2、方塊電阻測量范圍:1×10-5~1.9Ω/□;
3、電流量程分兩檔:100mA和1000mA。